DX info

CARIBBEAN TOUR —> Heli, DD0VR, и его жена Bigi, DE3BW, будут путешествовать по Карибскому бассейну с середины декабря по середину января; они планируют работать в эфире в «отпускном стиле» с Барбадоса под позывным 8P0VR (запрошенный позывной, 17-31 декабря), Мартиники под позывным FM/DD0VR (31 декабря-10 января), Доминики под позывным J70VR (10-14 января) и Гваделупы под позывным FG/DD0VR (14-20 января) на 40, 20, 15 и 10 м SSB и QRP CW. QSL via DD0VR.

Картинки по запросу Гваделупы фото

З днем народження!!! Транзистору 70 років!!!!

    Вважається, що після тривалих спроб створити прототип точкового транзистора, 16 (15 — 17) грудня 1947 фізик-експериментатор Уолтер Браттейн, який працював з теоретиком Джоном Бардином, зібрав перший працездатний точковий транзистор в лабаратории Bell Labs.

   15 або 16 грудня 1947 року Браттейн сконструював контактний вузол з пластмасовою трикутної призми з наклеєною на неї смужкою золотої фольги. Акуратно розрізавши фольгу бритвою, Браттейн отримав зазор між колектором і емітером шириною близько 50 мікрон. 16 грудня Браттейн притиснув контактний вузол зазором до поверхні германієвої пластини, створивши перший працездатний точковий транзистор. 23 грудня 1947 року Браттейн продемонстрував колегам транзисторний підсилювач звукових частот з п’ятнадцятикратне посиленням по напрузі. На частоті 10 МГц посилення склало 20 дБ при вихідній потужності 25 мВт. А 24 грудня Браттейн продемонстрував перший транзисторний генератор.

   Керівництво Bell Labs, розуміючи важливість події, посилило відділ Шоклі фахівцями і на деякий час засекретило проект. Публіка дізналася про винахід транзистора 30 червня 1948 року на відкритій презентації транзистора в Нью-Йорку, приуроченій до виходу статей в Physical Review. За місяць до цієї події в Bell Labs відбулося таємне голосування з вибору імені нового приладу. Відкинувши занадто довге «напівпровідниковий тріод» (semiconductor triode), фактично невірне «триод на поверхневих станах» (surface states triode) і незрозуміле «йотатрон» (iotatron), Bell Labs затвердила «транзистор» (transistor) — від англ. transconductance (провідність) або transfer (передача) і varistor (варістор, керований опір).

Сучасний макет транзистора Бардіна та Браттейн.

Картинки по запросу транзистор

З цього моменту види корпусів транзисторів змінилися до невпізнання !!!!

Картинки по запросу транзистор

Транзисторы IGBT

   Продолжая публикацию ряда статей, описывающих свойства и параметры современных транзисторов, нельзя не отметить эту разновидность как отдельную группу. Итак-

Особенности применения биполярных

транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

    Современные силовые устройства преобразования параметров электроэнергии строятся на силовых полупроводниковых ключах, отличающихся от биполярных транзисторов. Особое место среди них занимают рассматриваемые в статье IGBT технологии, то есть устройства с использованием БТИЗ транзисторов (биполярных транзисторов с изолированным затвором) или в английской аббревиатуре IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) транзисторов. Применение этих технологий существенно расширяет энергетические возможностями и повышает надежность силовых электротехнических устройств.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором

igbt_1

Tехнологии реализации IGBT транзисторов

     Сочетание двух полупроводниковых приборов в одной структуре позволило объединить преимущества полевых и биполярных транзисторов: высокое входное сопротивление и малое сопротивление между силовыми электродами во включенном состоянии. Обратим внимание на то, что на эквивалентных схемах у силового транзистора в том месте, где обозначен эмиттер, написано «коллектор», а где обозначен коллектор написано «эмиттер». Это общепринятое обозначение по принципу управления, указывающее, что входной сигнал управления подается между затвором и эмиттером.

igbt11

Символическое обозначение IGBT (слева) и его эквивалентная схема

     Кратко охарактеризуем историю создания и развития IGBT транзисторов, являющихся продуктом развития технологии силовых транзисторов. Эта история насчитывает несколько десятилетий. С 80-х годов прошлого века и по сегодняшний день создано четыре поколения этих приборов: первое поколение – с 1985 года, когда были достигнуты максимальные значения напряжения Uмакс=1000В, тока Iмакс≈ 25А и минимальное значение времени переключения tпер.мин≈1мкс второе – с 1990 года, когда были достигнуты максимальные значения Uмакс=1600В, Iмакс≈ 50А и минимальное значение времени переключения tпер.мин≈0.5мкс третье – с 1994 года, когда были достигнуты максимальные значения напряжения Uмакс=3500В тока Iмакс≈ 100А и минимальное значение времени переключения tпер.мин≈0.25мкс и, наконец, четвертое поколение – с 1998 года, для которого характерны следующие достижения:Uмакс=4500В, Iмакс≈ 150А, время переключения tпер.мин≈0.2мкс. Для входного пробивного напряжение Uвх.пр современных IGBT транзисторов в справочных данных практически всех фирм-производителей транзисторов приводится значение, равное Uвх.пр=±20В, и таким образом при работе с этими приборами необходимо следить, чтобы напряжение затвор-эмиттер не превышало указанное значение напряжения. Далее, напряжение на затворе IGBT транзистора, при котором входной МОП и выходной биполярный транзистор начинают отпираться, составляет от 3,5 до 6,0 В, и гарантированное напряжение, при котором транзистор полностью открыт, то есть может пропускать максимально допустимый ток через коллектор-эмиттерный переход, составляет от 8 до предельного значения 20 В.


 IGBT против MOSFET: история противостояния

В первой половине восьмидесятых годов прошлого века, сразу после начала серийного производства IGBT, разгорелись споры: что лучше применять в качестве силовых токовых ключей (СТК)? К началу девяностых IGBT значительно улучшили свои характеристики и были признаны основными кандидатами для применений, требующих высоковольтных СТК и допускающих при этом работу на сравнительно невысоких частотах. Во многих публикациях 90-х годов обосновывалась технико-экономическая эффективность замены MOSFET на IGBT.

igbt_fet

    Однако, за прошедшие полтора десятилетия с момента первой публикации выше указанного рисунка, СТК были очень серьезно усовершенствованы. «Команда» кремниевых MOSFET получила мощнейшее пополнение в виде Superjunction-приборов, при производстве IGBT стала применяться технология обработки очень тонких пластин (толщиной менее 100 мкм), и на этой основе реализована FieldStop-концепция профиля легирования IGBT, сочетающая лучшие качества PT-IGBT и NPT-IGBT. Кроме того, во многих современных IGBT планарная MOSFET-структура заменена на Trench-MOSFET, что обеспечивает дополнительный выигрыш по величине падения напряжения в проводящем состоянии. Все это делает актуальным перепроверку рекомендаций выше указанного рисунка по рациональному распределению областей применения между различными СТК. При этом надо учитывать примерное соотношение относительной себестоимости производства приборов разной конструкции (на единицу площади чипа). Особняком стоят мощные БТ (они намного дешевле других СТК, но их рабочая плотность тока годаздо ниже, чем у полевых приборов, особенно IGBT). Среди высоковольтных СТК с полевым управлением наиболее экономически выгодны в производстве «классические» MOSFET: планарные, в целом, подешевле, чем Trench-MOSFET, но разница невелика; IGBT несколько дороже, чем MOSFET (примерно в 1,5…3 раза), вследствие выполнения дополнительных операций при изготовлении и испытаниях, либо из-за необходимости обрабатывать очень тонкие пластины (это еще более дорогая технология, чем длительная эпитаксия на подложку стандартной толщины). Superjunction-MOSFET обеспечивают выигрыш по удельному сопротивлению открытого прибора в 5…10 раз по сравнению с классическими MOSFET. Они примерно во столько же раз дороже последних в производстве, но имеют значительный потенциал усовершенствования (в том числе — удешевления), отчасти уже реализованный за 12 лет с начала их серийного производства. Высоковольтные кремниевые Superjunction-MOSFET кратно дороже при изготовлении, чем IGBT. За последние годы начато серийное производство высоковольтных карбид-кремниевых полевых СТК. По комплексу важнейших электрофизических характеристик SiC настолько превосходит кремний как материал для изготовления мощных высоковольтных полупроводниковых приборов, что даже первые, во многом еще несовершенные карбид-кремниевые MOSFET на напряжение 1200 В уже имеют лучшие технические характеристики, чем конкурирующие кремниевые СТК. Главной проблемой серийного производства SiC-приборов считается значительная плотность опасных дефектов кристалла полупроводника. Некоторые из этих дефектов могут отрицательно влиять на долговременную стабильность характеристик СТК. Поэтому, SiC-приборы вынужденно имеют небольшие размеры чипов, в пределах которых можно найти достаточное количество подложек с приемлемым качеством. Не случайно наибольших успехов в серийном производстве SiC-приборов добилась компания Cree, массово применяющая карбид-кремниевые подложки при изготовлении светодиодов. Пока сложно прогнозировать динамику цен карбид-кремниевых СТК и возможность их по-настоящему массового выпуска.


     Максимальные токи, которые могут коммутировать современные IGBT транзисторы, находятся в пределах от 7 до 150 А, а их допустимый импульсный ток, как правило, в 2,5 – 3,0 раза превышает максимальный. Для больших мощностей выпускаются составленные из нескольких транзисторов модули с предельными значениями тока до 1000 А. Пробивные напряжения IGBT транзисторов находятся в пределах от 400 до 4500 В.

Основные параметры некоторых IGBT транзисторов приведены в табл.1, а параметры модулей, выпускаемых по технологии Trench или NPT, – в табл. 2

Табл.1
Тип элемента

Uкэ

В

Uкэн
В

Iк при
t=25°С

А

Iк при
t=100°С

А

Р


Вт

IRG4BC30FD

600

1,6

31

17

100

IRGBC30MD2

600

3,9

26

16

100

IRG4PC30FD

600

1,6

31

17

100

IRG4PC40FD

600

1,5

49

27

160

IRG4PC50FD

600

1,5

70

39

200

IRGPC40MD2

600

4,0

40

24

160

IRGPC50MD2

600

3,0

59

35

200

IRGPH30MD2

1200

4,5

15

9

100

IRGPH40FD2

1200

4,3

29

17

160

IRGPH40MD2

1200

4,4

31

18

160

IRGPH50FD2

1200

3,9

45

25

200

IRGPH50MD2

1200

3,9

42

23

200

OM6516SC

1000

4,0

25

125

OM6520SC

1000

4,0

25

125


Табл.2
Тип модуля

Uкэ

В

Uкэн
В

Iк при
t= 25°С

А

Iк при
t= 100°С

А

Р

Вт

IRGDDN300M06

600

3,0

399

159

1563

IRGDDN400M06

600

3,0

599

239

1984

IRGDDN600M06

600

3,7

799

319

2604

IRGRDN300M06

600

3,0

399

159

1563

IRGRDN400M06

600

3,0

599

239

1984

IRGRDN600M06

600

3,7

799

319

2604

IRGTDN200M06

600

3,0

299

119

1000

IRGTDN300M06

600

3,0

399

159

1316

Где:

  • Uкэ — Напряжение коллектор-эмиттер
  • Uкэн- Напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора
  • Iк - Постоянный ток коллектора
  • Р — Максимальная рассеиваемая мощность

    Напряжение коллектор-эмиттерного перехода открытого транзистора находится в пределах от 1,5 до 4,0 В (в зависимости от типа, значений тока и предельного напряжения IGBT транзистора) в одинаковых режимах работы. Для различных типов приборов напряжение на переходе открытого транзистора тем выше, чем выше значение пробивного напряжения и скорость переключения. Вследствие низкого коэффициента усиления выходного биполярного транзистора в целом, IGBT транзистор защищен от вторичного пробоя и имеет (что особо важно для импульсного режима) прямоугольную область безопасной работы. С ростом температуры напряжение на коллектор-эмиттерном переходе транзистора несколько увеличивается, что дает возможность включать приборы параллельно на общую нагрузку и увеличивать суммарный выходной ток. Также как МОП транзисторы, IGBT транзисторы имеют емкости затвор-коллектор, затвор-эмиттер, коллектор-эмиттер. Величины этих емкостей обычно в 2 – 5 раз ниже, чем у МОП транзисторов с аналогичными предельными параметрами. Это связано с тем, что у IGBT транзисторов на входе размещен маломощный МОП транзистор. Для управления им в динамических режимах нужна меньшая мощность. Время нарастания или спада напряжения на силовых электродах IGBT транзисторов при оптимальном управлении составляет около 50 – 200 нс и определяется в основном скоростью заряда или разряда емкости затвор-коллектор от схемы управления. Существенным преимуществом IGBT транзисторов по сравнению с биполярными транзисторами является то, что биполярные транзисторы в структуре IGBT не насыщаются и, следовательно, у них отсутствует время рассасывания. Однако после уменьшения напряжения на затворе ток через силовые электроды еще протекает в течение от 80 – 200 нс до единиц мкс в зависимости от типа прибора. Уменьшить эти временные параметры невозможно, так как база p-n-p транзистора недоступна.

    Технологические методы уменьшения времени спада ведут к увеличению напряжения насыщения коллектор-эмиттерного перехода. Поэтому чем более быстродействующим является транзистор, тем выше напряжение насыщения. IGBT транзисторы по сравнению с МОП транзисторами обладают следующими преимуществами:

  • Экономичностью управления, связанной с меньшим значением емкости затвора и, соответственно, меньшими динамическими потерями на управление.
  • Высокой плотностью тока в переходе эмиттер-коллектор – такой же, как и у биполярных транзисторов.
  • Меньшими потери в режимах импульсных токов.
  • Практически прямоугольной областью безопасной работы.
  • Возможностью параллельного соединения транзисторов для работы на общую нагрузку.
  • Динамическими характеристиками у транзисторов, выпущенных за последние годы, приближающимися к характеристикам МОП транзисторов.

Основным недостатком IGBT транзисторов является сравнительно большое время выключения, что ограничивает частоты переключения до 20 – 100 кГц даже у самых быстродействующих транзисторов. Кроме того, с ростом частоты необходимо уменьшать ток коллектора. Например, из зависимости тока коллектора IGBT транзистора от частоты для транзистора IRGPC50UD2, приведенной на рис. 2, следует, что при частотах работы транзисторов, превышающих 10 кГц, приходится уменьшать ток коллектора более чем в два раза. Но все же для силовых инверторов с увеличением мощности преобразования рабочую частоту необходимо уменьшать также из соображений уменьшения влияния паразитных индуктивностей монтажа.

Картинки по запросу зависимости тока коллектора IGBT транзистора от частоты для транзистора IRGPC50UD2

     Процесс включения IGBT транзистора разделяется на два этапа. При подаче положительного напряжения между затвором и истоком открывается полевой транзистор, и далее движение зарядов из области n в область p приводит к открыванию биполярного транзистора, то есть к появлению тока между эмиттером и коллектором. Таким образом, полевой транзистор управляет биполярным. У IGBT транзисторов с максимальным значением напряжения в пределах 500 – 1200 В падение напряжения в насыщенном состоянии находится в диапазоне 1,2 – 3,5 В, то есть оно приблизительно такое же, как и у биполярных транзисторов. Однако эти значения падения напряжения намного меньшие по сравнению со значениями падения напряжения на силовых MOП транзисторах в проводящем состоянии с аналогичными параметрами. С другой стороны, MOП транзисторы с максимальными значениями напряжения, не превышающими 200 В, имеют меньшие значения падения напряжения между силовыми электродами во включенном состоянии, чем IGBT транзисторы. В связи с этим применение МОП транзисторов является более предпочтительным в области низких рабочих напряжений и коммутируемых токов до 70 А. По быстродействию IGBT транзисторы превосходят биполярные транзисторы, однако уступают MOП транзисторам. Значения времен рассасывания накопленного заряда и спада тока при выключении IGBT транзисторов находятся в пределах 0,2 – 0,4 мкс. Область безопасной работы IGBT транзисторов позволяет обеспечить надежную работу этих устройств без усложнений дополнительными цепями ускорения переключения при частотах от 10 до 20 кГц. Этого не могут обеспечить биполярные транзисторы. IBGT транзисторы относятся к приборам силовой электроники, и выпускаемые промышленностью на сегодняшний день реальные приборы имеют предпочтение в их использовании в диапазоне мощностей от единиц киловатт до единиц мегаватт. Дальнейшее совершенствование IGBT транзисторов проводится по пути повышения быстродействия, предельных коммутируемых токов и напряжений.

IGBT седьмого поколения производства IR

International Rectifier имеет, пожалуй, наибольший опыт разработки и производства высококачественных IGBT, который воплотился в создание приборов 7-го поколения. Наибольший интерес среди них представляют две серии IGBT 12-го класса. Они изготовлены по наиболее прогрессивной на сегодняшний день технологии обработки особо тонких пластин кремния, имеют Trench-MOSFET-структуру и оптимизированный профиль легирования кристалла FieldStop. Это обеспечивает хороший баланс характеристик приборов как в режиме проводимости тока, так и при переключениях. Все важнейшие характеристики СТК подвергаются 100% контролю на ПСИ, причем установлены достаточно жесткие нормы годности. В завершении испытаний все приборы проверяются на отключение тока коллектора, вчетверо превышающего Iк ном при напряжении ограничения Uкэ огр = 960 В. Такой жесткий тест способны пройти только качественные приборы, не имеющие каких-либо слабых мест в своей конструкции. В отличие от большинства конкурентов, компания International Rectifier выделила IGBT, имеющие нормированную стойкость к КЗ в цепи нагрузки, в самостоятельную линейку приборов. Если по смыслу применения IGBT «близкое» короткое замыкание маловероятно (последовательно с СТК включен дроссель, ограничивающий скорость изменения тока до безопасных значений, которые без проблем отрабатываются штатным контуром регулирования тока), рекомендуется применять серию U. По сравнению с приборами серии K10, выдерживающими КЗ в течение, по крайней мере, 10 мкс при Uкэ = 600 В и Tп = 150°C, IGBT из линейки U имеют на 300 мВ меньшее прямое падение напряжения при паритете по коммутационным свойствам. Выигрыш на 15% — серьезный бонус для пользователя! Серия K10 предназначена, преимущественно, для применения в электроприводах. Uкэ пров IGBT 7-го поколения на 1200 В имеет, при токах порядка Iк ном, небольшой положительный температурный коэффициент. Он не сильно увеличивает потери режима проводимости при нагреве, совершенно безопасен в отношении электротеплового разгона, но эффективно обеспечивает симметрирование режимов работы при параллельном включении нескольких приборов. Старшие модели серий отличаются весьма большими значениями рабочих токов. Например, IRG7PSH73K10 в корпусе Super247 имеет номинальный ток 75 А и может конкурировать со значительно более дорогими модульными IGBT или заменять несколько параллельно включенных дискретных приборов. Повышение предельно допустимой температуры кристалла IGBT 7-го поколения — до 175°C (у большинства конкурентов только 150°C) очень эффективно (на 20…30%) увеличивает допустимую рассеиваемую мощность приборов, их токонесущую способность и частотный потенциал. Использование тонких чипов уменьшило тепловое сопротивление между наиболее горячей областью кристалла и медным основанием прибора, а также снизило термомеханические напряжения в конструкции, что улучшает стойкость этих IGBT при циклических режимах нагружения. Новинкой является модификация исполнения чипов IGBT 7-го поколения с двухсторонним отводом тепла и электрическим присоединением медными «шинками» (вместо обычно применяемых проволочек). Циклостойкость таких приборов исключительно высока. Большинство СТК предлагается как в виде одиночных IGBT, так и Co-PACK, совместно с быстровосстанавливающимися диодами. Основные характеристики IGBT седьмого поколения производства International Rectifier представлены в таблице 2.

 

Таблица 2. IGBT седьмого поколения производства International Rectifier

Наименование Uкэк,В Корпус Схема прибора Рекомен-дуемый час-тотный диа-пазон приме-нения, кГц Iк макс доп, А при Ткорп=100°С Uкэ откр, В при Тп=25°С (макс.)
IRG7I313U 330 TO220FP IGBT 8…30 10 1,45
IRG7P313U 330 TO247AC IGBT 8…30 20 1,45
IRG7R313U 330 DPAK IGBT 8…30 20 1,45
IRG7S313U 330 D2PAK IGBT 8…30 20 1,45
IRG7I319U 330 TO220FP IGBT 8…30 15 1,45
IRG7S319U 330 D2PAK IGBT 8…30 20 1,43
IRG7IA13U 360 TO220FP IGBT 8…30 10 1,52
IRG7RA13U 360 DPAK IGBT 8…30 20 1,52
IRG7IA19U 360 TO220FP IGBT 8…30 15 1,52
IRG7PA19U 360 TO247FP IGBT 8…30 26 1,52
IRG7IC18FD 600 TO220FP IGBT+диод 1…8 7,5 1,85
IRG7IC20FD 600 TO220FP IGBT+диод 1…8 8 1,85
IRG7IC23FD 600 TO220FP IGBT+диод 1…8 9 1,85
IRG7IC28U 600 TO220FP IGBT 8…30 12 1,95
IRG7PC28U 600 TO247FP IGBT 8…30 33 1,95
IRG7IC30FD 600 TO220FP IGBT+диод 1…8 12 1,85
IRG7RC07SD 600 DPAK IGBT+диод 0…1 8,5 1,5
IRG7RC10FD 600 DPAK IGBT+диод 1…8 9 1,85
IRGP4266 650 TO247AC IGBT 0…1 90 2,1
IRGP4266-E 650 TO247AD IGBT 0…1 90 2,1
IRGP4263 650 TO247AC IGBT 8…30 60 2,1
IRGP4263-E 650 TO247AD IGBT 8…30 60 2,1
IRG7PH28UD1 1200* TO247AC IGBT+диод 8…30 15 2,3
IRG7PH28UD1M 1200* TO247AD IGBT+диод 8…30 15 2,3
IRG7PH30K10 1200 TO247AC IGBT 4…20 23 2,35
IRG7PH30K10D 1200 TO247AC IGBT+диод 4…20 16 2,35
IRG7PH35U 1200 TO247AC IGBT 8…30 35 2,2
IRG7PH35U-E 1200 IGBT 8…30 35 2,2
IRG7PH35UD 1200 TO247AC IGBT+диод 8…30 25 2,2
IRG7PH35UD-E 1200 TO247AD IGBT+диод 8…30 25 2,2
IRG7PH35UD1 1200* TO247AC IGBT+диод 8…30 25 2,2
IRG7PH35UD1-E 1200* TO247AD IGBT+диод 8…30 25 2,2
IRG7PH35UD1M 1200* TO247AD IGBT+диод 8…30 25 2,2
IRGPH42U 1200 TO247AC IGBT 8…30 60 2,0
IRGPH42U-E 1200 TO247AD IGBT 8…30 60 2,0
IRGPH42UD 1200 TO247AC IGBT+диод 8…30 45 2,0
IRGPH42UD-E 1200 TO247AD IGBT+диод 8…30 45 2,0
IRGPH42UD1 1200* TO247AC IGBT+диод 8…30 45 2,0
IRGPH42UD1-E 1200* TO247AD IGBT+диод 8…30 45 2,0
IRGPH42UD1M 1200* TO247AD IGBT+диод 8…30 45 2,0
IRG7PH46U 1200 TO247AC IGBT 8…30 75 2,0
IRG7PH46U-E 1200 TO247AD IGBT 8…30 75 2,0
IRG7PH46UD 1200 TO247AC IGBT+диод 8…30 57 2,0
IRG7PH46UD-E 1200 TO247AD IGBT+диод 8…30 57 2,0
IRG7PH50U 1200 TO247AC IGBT 8…30 90 2,0
IRG7PH50U-E 1200 TO247AD IGBT 8…30 90 2,0
IRG7PH50K10D 1200 TO247AC IGBT+диод 4…20 50 2,4
IRG7PH50K10D-E 1200 TO247AD IGBT+диод 4…20 50 2,4
IRG7PSH50UD 1200 TO247AA IGBT+диод 8…30 70 2,0
IRG7PSH73K10 1200 TO247AA IGBT 4…20 130 2,3
* — допускает повторяющиеся импульсные перенапряжения до 1300 В.

International Rectifier – 65 лет инноваций

Рейнгольд Тойрер (International Rectifier)

     Р.Т.: Уже 65 лет IR находится на переднем крае инноваций в области управления электропитанием. Независимо от макроэкономической обстановки, IR продолжает инвестировать разработки и исследования, применяя агрессивные стратегии для увеличения доли рынка и фокусируя усилия на росте прибыли. В последнее время мы представили на рынок 600 В и 1200 В Trench IGBT; силовые MOSFETs серии StrongIRFETTM со сверхнизким значением RDS(on) для широкого круга промышленных приложений, включающих аккумуляторные сборки, инверторы, источники бесперебойного питания, инверторы солнечных батарей, вилочные погрузчики и силовые приборы; семейство интегральных силовых модулей PowIRaudioTM для высококачественных систем домашнего кинотеатра и автомобильных аудиоусилителей; а также — большую линейку микросхем для систем освещения.

IOR-Factory

   Р.Т.: Поскольку физические пределы возможностей кремния уже достигнуты, становится все сложнее и требует все больших затрат дальнейшее повышение производительности. В некоторых случаях для повышения плотности мощности системы при минимуме затраченной энергии с одновременным ограничением размера системы, ее сложности и цены, необходимы новые технологии, в то время как в других случаях нужны новые материалы. Хороший пример этого — революционная технологическая платформа компании IR для силовых компонентов на основе нитрида галлия GaNpowIR®, которая знаменует собой новую эру в разработке высокоэффективных силовых изделий.

    Недавно компания IR объявила, что завершила испытания и отгрузила изделия, выпущенные на базе GaN-платформы для систем домашнего кинотеатра, которые выпускает один из ведущих производителей потребительской электроники. Это достижение подчеркивает стратегическое преимущество International Rectifier на рынке управления электропитанием, поскольку представляет собой эффективную, с точки зрения капитализации, модель производства, которая означает для покупателя рост значения показателя качества примерно в десять раз по сравнению с самой современной технологией на базе кремния. Это новейшее достижение демонстрирует неизменное стремление IR предоставить своим клиентам наиболее современные технологические достижения в области управления электропитанием.

WPX info

S5 — Специальная станция S510PMC будет активна с 7 декабря по 7 января 2018 г. с целью продвижения PMC Contest’а, который проводит Radio Club Slovenj Gradec (S59DCD). QSL через бюро. International Association of Peace Messenger Cities (Международная ассоциация городов-посланцев мира) была основана в 1988 г. для стимулирования роли и ответственности городов в выработке культуры мира. PMC Contest, направленный на проведение связей между станциями, расположенными в городах-посланцах мира, и станциями остального мира, будет проходить 6-7 января.

НОВАЯ СЕРИЯ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ IRFP4XXX

Новая серия мощных МОП-транзисторов IRFP4xxx компании International Rectifier (IR) с ультранизким сопротивлением канала позволяет существенно повысить КПД преобразования электрической энергии и значительно сократить потери проводимости в конверторах.

Отличительная особенность новой серии IRFP4xxx, производимой по новейшей технологии Trench HEXFET Power MOSFETs, — уменьшенное сопротивление Rds(on) до 2,5 раз по сравнению с транзисторами предыдущего поколения. Все они выпускаются в стандартном популярном корпусе TO-247AC, что позволяет существенно снизить стоимость готового устройства. Производитель рекомендует следующие области применения новых МОП-транзисторов:

 — синхронные выпрямители телекоммуникационных и промышленных преобразователей энергии с напряжением шин питания до 80 В;

— мощные инверторы постоянного и переменного тока;

— источники бесперебойного питания (UPS);

— силовые O’Ring узлы (замена диодов Шоттки в мощных схемах ИЛИ для суммирования выходных токов);

— привод электроинструмента;

— промышленный привод постоянного тока с батарейным питанием от 12 до 80 В (электрокары, вилочные подъемники);

— силовая автоэлектроника — мощные DC/DC-преобразователи для сетей 14 В/42 В, инверторы стартер-генераторов и электромеханических усилителей руля;

— инверторы солнечных батарей.

Преимущества по отношению к предыдущим поколениям MOSFET

На рисунке 1 представлено сравнение Rds(on) новых транзисторов (выделены желтым цветом) и лучших приборов предыдущего поколения IR (выделены синим цветом).

 Сравнение Rds(on) транзисторов новой серии IRFP4xxx и приборов предыдущих

Рис. 1. Сравнение Rds(on) транзисторов новой серии IRFP4xxx и приборов предыдущих поколений

В таблицу 1 сведены для сопоставления основные параметры транзисторов, производимых по новейшей технологии, и некоторых предыдущих серий MOSFET в корпусе ТО-247АС.

Таблица 1. Параметры новых полевых транзисторов IRFP4xxx и транзисторов IR предыдущих поколений в корпусе TO-247AC

Наименование Vси, макс,
В
Rds(on)
макс.,
мОм,
Vзи=10 В
Iстока,
A,
t° = 25°C
Iстока,
A,
t° = 100°C
Qg.*,
тип.,
нКл
Qgd**,
тип.,
нКл
Rth(JC)***,
К/Вт
Мощ-
ность,
Вт, макс.
(при t°=25°C)
IRFP4004PBF(New) 40 1,7 350**** 250**** 220 75 0,40 380
IRFP044N 55 20,0 53 37 40,7 16,0 1,5 100
IRFP1405 55 5,3 160 110 120,0 53,3 0,49 310
IRFP064N 55 8,0 98 69 113,3 50,0 1,0 150
IRFP054N 55 12,0 72 51 86,7 35,3 1,2 130
IRFP048N 55 16,0 62 44 59,3 26,0 1,2 130
IRFP064V 60 5,5 130 95 173,3 62,7 0,60 250
IRFP054V 60 9,0 93 66 113,3 39,3 0,85 180
IRFP3206PBF 60 3,0 200 140 120,0 35,0 0,54 280
IRFP3306PBF 60 4,2 160 110 85,0 26,0 0,67 220
IRFP2907Z 75 4,5 170 120 180,0 65,0 0,49 310
IRFP4368PBF(New) 75 1,8 350**** 250**** 380,0 105,0 0,29 520
IRFP3077PBF 75 3,3 200 140 160,0 42,0 0,44 340
IRFP2907 75 4,5 177 125 410,0 140,0 0,45 330
IRFP4710 100 14,0 72 51 110,0 40,0 0,81 190
IRFP4410ZPBF 100 9,0 97 69 83,0 27,0 0,65 230
IRFP150V 100 24,0 46 32 86,7 28,7 1,1 140
IRFP150N 100 36,0 39 28 73,3 38,7 1,1 140
IRFP140N 100 52,0 27 19 62,7 28,7 1,6 94
IRFP3710 100 25,0 51 36 66,7 17,3 0,83 180
IRFP4310ZPBF 100 6,0 134 95 120,0 35,0 0,54 280
IRFP4468PBF(New) 100 2,6 290**** 200**** 360,0 89,0 0,29 520
IRFP4110PBF 100 4,5 180 130 150,0 43,0 0,40 370
IRFP3415 150 42,0 43 30 133,3 65,3 0,75 200
IRFP4321PBF 150 15,5 78 55 71,0 21,0 0,49 310
IRFP4568PBF(New) 150 5,9 171**** 121**** 151,0 55,0 0,29 517
IRFP4227PBF 200 25,0 65 46 70,0 23,0 0,45 330
IRFP260N 200 40,0 49 35 156,0 73,3 0,50 300
IRFP4668PBF(New) 200 9,7 130 92 161,0 52,0 0,29 520
IRFP90N20D 200 23,0 94 66 180,0 87,0 0,26 580
IRFP250N 200 75,0 30 21 82,0 38,0 0,70 214
IRFP4332PBF 250 33,0 57 40 99,0 35,0 0,42 360
IRFP4229PBF 250 46,0 44 31 72,0 26,0 0,49 310
IRFP4232 250 35,7 60 42 160,0 60,0 0,35 430
IRFP4242PBF 300 59,0 46 33 165,0 61,0 0,35 430
*     Qg — Total Gate Charge — суммарный (полный) заряд затвора
**    Qgd — Gate-to-Drain («Miller») Charge — заряд затвора, обусловленный эффектом Миллера
***  Rth(JC) — тепловое сопротивление «переход-корпус» (Junction-to-Case), измеренное
ри температуре около 90°С
**** Максимальный ток, ограниченный кристаллом
ток, ограниченный выводами корпуса, см. в документации производителя).

      Необходимо обратить внимание на то, что новые транзисторы IRFP4004PBF, IRFP4368PBF, IRFP4468PBF, IRFP4568PBF имеют ограничение тока из-за сопротивления выводов корпуса ТО-247АС, а не из-за кристалла (кристалл способен на гораздо большее). При расчетах схем с этими транзисторами и сравнении с аналогичными приборами целесообразнее ориентироваться на сопротивление канала в открытом состоянии, не забывая об ограничении тока выводами корпуса ТО-247АС. В новой серии появился транзистор IRFP4004PBF с максимальным напряжением сток-исток 40 В (см. рисунок 1), обладающий рекордно низким сопротивлением Rds(on) 1,7 мОм (это максимальное значение, типовое значение обычно еще меньше). Однако за это приходится расплачиваться увеличением заряда затвора, что влечет за собой выбор драйверов MOSFET с большими выходными токами, короткими фронтами и малыми задержками, хотя выбор таких драйверов достаточно велик и обычно не вызывает никаких затруднений. Все новые транзисторы обладают очень низкими значениями теплового сопротивления переход-корпус, что позволяет более эффективно отводить тепло от кристалла. Нужно отметить, что пять новых транзисторов заменяют большое количество транзисторов предыдущего поколения International Rectifier (см. таблицу 1) и некоторые MOSFET известных фирмFairchild, ST, IXYS (см. таблицы 2 и 3).

Таблица 2. Сравнение параметров новых транзисторов IR серии IRFP4xxx с аналогичными от других производителей

Произво-
дитель
Наименова-
ние
Vси,
макс.,
В
Rds(on)
макс.,
мОм,
Vзи=
10 В
Iстока,
A,
t°=
25°C
Qg.*,
тип.,
нКл
Qgd**,
тип.,
нКл
Rth(JC)
***
К/Вт
Мощ-
ность,
Вт,
макс.
(при
t°=
25°C)
Корпус
IR IRFP4004PBF 40 1,7 350**** 220,0 75,0 0,40 380 TO-247AC
Fairchild FDA8440 40 2,1 100 345 74 0,49 306 TO-247AC
IR IRFP4368PBF 75 1,8 350**** 380,0 105,0 0,29 520 TO-247AC
Fairchild FD038AN08A1 75 3,5 80 125 0,33 450 TO-247AC
STM STW220NF75 75 4,4 120 500 135 0,3 460 TO-247AC
IR IRFP4468PBF 100 2,6 290**** 360,0 89,0 0,29 520 TO-247AC
Fairchild HUF75652G3 100 8 75 475 74 0,29 515 TO-247AC
IXYS IXTR200N10P 100 8 120 235 0,5 300 Super247
IXYS IXFX250N10P 100 6,5 250 205 0,12 1250 Super247
IR IRFP4568PBF 150 5,9 171**** 151,0 55,0 0,29 517 TO-247AC
Fairchild HUF7588G3 150 16 75 480 66 0,3 500 TO-247AC
IXYS IXTQ120N15P 150 16 120 150 0,25 600 TO-3P
IXYS IXTQ150N15P 150 13 150 190 0,21 714 TO-3P
IR IRFP4668PBF 200 9,7 130 161,0 52,0 0,29 520 TO-247AC
Fairchild FQA65N20 200 32 65 200 75 0,4 310 TO-3P
IXYS IXTH96N20 200 24 96 145 0,25 600 TO-247AC
IXYS IXTQ120N20 200 22 120 152 0,21 713 TO-3P
*, **, ***, **** — расшифровка приведена в таблице 1.

Таблица 3. Рекомендуемые замены от IR для транзисторов с близкими параметрами других производителей

Произво-
дитель
Наименова-
ние
Прямая
замена
от IR
Замена
от IR с
улучшением
параметров
Возмож-
ная
замена
от IR
Корпус
других
произво-
дителей
Корпус
IR
  FDA8440 - IRFP4004PBF - TO-3P TO-247
FDH038AN08A1 - IRFP4368PBF - TO-247 TO-247
HUF75653G3 - IRFP4468PBF - TO-247 TO-247
HUF75882G3 - IRFP4568PBF - TO-247 TO-247
FQA65N20 - IRFP4668PBF - TO-247 TO-247
  STW200NF75 IRFP4368PBF - - TO-247 TO-247
  IXTR200N10P - - IRFP4468PBF ISO247 TO-247
IXFX250N10P - - IRFP4468PBF PLUS247 TO-247
IXTQ120N15P - IRFP4568PBF - TO-3P TO-247
IXTQ150N15P - - - TO-3P TO-247
IXTH96N20 IRFP4668PBF - - TO-247 TO-247
IXTQ120N20 - IRFP4668PBF - TO-3P TO-247

Сравнение новых Trench HEXFET Power MOSFETs с аналогами других производителей

Среди транзисторов с напряжением сток-исток 40 В прибор IRFP4004PBF не имеет аналогов. По сопротивлению канала с ним может конкурировать только транзистор IR в дорогом 7-выводном корпусе для поверхностного монтажа IRF2804S-7P. Самый близкий прибор от другого производителя — этоFDA8440 с сопротивлением канала 2,1 мОм от компании Fairchild (параметры для сравнения приведены в таблице 2). В крайнем правом столбце таблицы 2 для всех транзисторов других производителей указано отношение сопротивлений Rds(on) близкого по параметрам транзистора IR к Rds(on) конкретного транзистора другого производителя. Все эти соотношения меньше 1, что говорит о том, что сопротивление канала транзисторов IR меньше или гораздо меньше аналогичного параметра приборов фирм Fairchild, ST и IXYS.

В диапазоне напряжений сток-исток 55…75 В бесспорным лидером является IRFP4368PBF.Сопротивление канала 1,8 мОм в сочетании с остальными параметрами обеспечивают ему большой отрыв от популярных IRFP044N, IRFP048N и IRFP064N (диапазон 55 В). 75-вольтовый новый транзистор IRFP4368PBF с успехом заменяет 60-вольтовые IRFP064V, IRFP054V, IRFP3206PBF, IRFP3306PBF и очень популярный 75-вольтовый IRFP2907Z. У нового транзистора IRFP4368PBF сопротивление канала снижено в 2,5 раза по сравнению с лучшим прибором IR предыдущего поколенияIRFP2907Z. Ближайшие конкуренты для напряжения 75 В от компаний Fairchild — FD038AN08A1 и от компании ST — STW220NF75 имеют сопротивление канала 3,5 и 4,4 мОм соответственно (см. таблицу 2).

В диапазоне 100 В тон задает IRFP4468PBF c сопротивлением канала 2,6 мОм. 100-вольтовый транзистор IR предыдущего поколения IRFP4110PBF имеет Rds(on) 4,5 мОм, а ближайшие по параметрам 100-вольтовые HUF75652G3 (Fairchild) и IXTR200N100P (IXYS) - 8 мОм, аIXFX250N10P (IXYS) - 6,5 мОм. Однако последние два транзистора фирмы IXYS выпускаются в более дорогих корпусах Super247.

Диапазон 150 В. Здесь в большом отрыве IRFP4568PBF с сопротивлением канала 5,9 мОм. Среди догоняющих — 150-вольтовые HUF75882G3 компании Fairchild с Rds(on) 16 мОм, а также IXTQ120N15P и IXTQ150N15P компании IXYS с сопротивлениями канала 16 и 13 мОм соответственно. Справедливости ради нужно отметить, что транзисторы IXYS производятся в более дорогих корпусах ТО-3Р.

Наконец, мы подошли к диапазону 200 В. Здесь самый сильный игрок — новый транзистор IRFP4668PBF с сопротивлением канала 9,7 мОм, что для 200-вольтовых приборов является эталонным показателем при таком напряжении. Ближайшие транзисторы этого класса FQA65N20 (Fairchild) имеют Rds(on) 32 мОм, а IXTH96N20 и IXTQ120N20 компании IXYS - 24 и 22 мОм соответственно. Однако кристаллы FQA65N20 и IXTQ120N20 упакованы в более дорогие корпуса ТО-3Р, что дает дополнительное преимущество транзистору IRFP4668PBF. 200-вольтовые транзисторы предназначены для работы в телекоммуникационных источниках питания с шиной с постоянным напряжением до 80 В.

В таблице 3 приведены рекомендуемые замены от International Rectifier для МОП-транзисторов компаний Fairchild, ST, IXYS.

В некоторых случаях один новый МОП-транзистор IR может заменить до трех параллельно включенных транзисторов IR предыдущих поколений в диапазоне 100…200 В. Кроме того, при параллельном соединении транзисторов добавляются сопротивления соединительных проводников, которые при токах десятки и сотни Ампер могут существенно ухудшать статические и динамические параметры эквивалентного транзистора. Цена одного нового транзистора меньше стоимости трех параллельно включенных приборов предшествующих поколений. При этом можно уменьшить размер радиатора и снизить температуру в блоке. Следует учесть, что при снижении температуры в блоке на 10 процентов срок службы электролитических конденсаторов удваивается. Как известно, именно электролитические конденсаторы в большинстве случаев определяют время безотказной работы силового преобразователя.

Графические зависимости основных параметров 40-вольтового IRFP4004PBF

На рисунке 2 приведены зависимости сопротивления канала в открытом состоянии (максимальное значение при Uзи = 10 В) от температуры перехода и полного заряда затвора Qg от напряжения Uзи для транзистора IRFP4004PBF.

Зависимости Rds(on) от температуры перехода, заряда затвора от напряжения затвор-исток для транзистора IRFP4004PBF

Рис. 2. Зависимости Rds(on) от температуры перехода, заряда затвора от напряжения затвор-исток для транзистора IRFP4004PBF

    Новейшая технология Trench HEXFET обеспечивает низкий рост сопротивления открытого канала от температуры перехода. Новые транзисторы серии IRFPxxx обеспечивают высокие динамические характеристики при низкой мощности управления, устойчивость к лавинному пробою и надежную работу в режимах жесткого переключения в широком диапазоне частот.На рисунке 3 приведены выходные характеристики IRFP4004PBF (графики снимались при длительности импульсов менее 60 мкс и температурах перехода 25°С и 175°С).

Выходные характеристики IRFP4004PBF при длительности импульса менее 60 мкс

Рис. 3. Выходные характеристики IRFP4004PBF при длительности импульса менее 60 мкс

Нижние кривые иллюстрируют работу транзистора при управляющем напряжении 4,5 В, что близко к логическим уровням цифровых микросхем с питанием от 5 В.

На рисунке 4 иллюстрируется зависимость максимально допустимых токов транзистора IRFP4004PBF от температуры корпуса, ограниченных кристаллом и выводами корпуса транзистора.

Максимальные токи IRFP4004PBF, ограниченные кристаллом и выводами

Рис. 4. Максимальные токи IRFP4004PBF, ограниченные кристаллом и выводами корпуса TO-247AC

    К сожалению, полностью реализовать потенциал кристалла транзистора IRFP4004PBF в корпусе ТО-247АС невозможно (для этого нужен более мощный корпус), однако и корпус ТО-247АС ограничивает ток для IRFP4004PBF на уровне 195 А (режимы измерения см. в документации производителя), что является очень высоким показателем для приборов такого класса.

Заключение

     Главные преимущества новых МОП-транзисторов IR — ультранизкое сопротивление открытого канала и недорогой стандартный корпус ТО-247АС. При модернизации серийно выпускаемых преобразователей энергии в большинстве случаев достаточно без изменения схемы и печатной платы заменить используемые ранее транзисторы на новые из серии IRFP4xxx. При замене нескольких параллельно включенных транзисторов на один новый получается ощутимый выигрыш в цене и надежности за счет снижения выделяемого тепла и увеличения срока службы электролитических конденсаторов. Всего пять новых транзисторов могут заменить большое количество транзисторов IR предыдущих поколений и довольно большое количество аналогичных приборов других производителей (см. таблицы 1, 2 и 3 данной статьи). В статье рассмотрены транзисторы только наиболее популярных мировых производителей MOSFET, хорошо известных нашим разработчикам, но, конечно, читатель может попробовать заменить и транзисторы от производителей, не рассмотренных выше.

Евгений Звонарев

Астрономы увидели, как черная дыра поглощает звезду

Британские ученые из Белфаста, совместно с астрономами из Института Вейцмана в Израиле и Центра изучения темной материи и темной энергии в Дании, обнаружили редчайшее космическое явление: черная дыра поглощает чересчур близко приблизившуюся к ней звезду.

640px-CSIRO_ASKAP_2010

Радиоинтерферометр АСКАП — австралийский следопыт квадратнокилометрового массива. АСКАП будет представлять собой систему апертурного синтеза, состоящую из 36 одинаковых антенн с диаметром главных зеркал по 12 м, полем зрения в 30 кв. град. в диапазоне частот 1.4 ГГц. Комплекс работает с 2013 года.

    Исследователи из университета Квинс в Белфасте приняли участи в европейском проекте, целью которого было объяснить причину чрезвычайно яркого излучения света в одной из отдаленных галактик. В 2015 году американские астрономы решили, что речь идет о взрыве умирающей массивной звезды. Однако после 10 месяцев непрерывного наблюдения за феноменом ученые из Белфаста пришли к выводу, что звезду разрывает на куски вращающаяся черная дыра.

«Сверхмассивная дыра»

     Черная дыра — это область пространства-времени, где гравитация столь велика, что ее не могут покинуть даже объекты, движущиеся со скоростью света, в том числе и сам свет. Самые крупные черные дыры называются сверхмассивными. По словам белфастских астрономов, масса обнаруженной ими дыры превышает массу нашего Солнца по меньшей мере в 100 миллионов раз. Команда ученых из Исследовательского центра астрофизики изучила данные, полученные за несколько месяцев от целого ряда телескопов — как на Земле, так и в космосе. Изначально источник чрезвычайного яркого света, названный ASASSN-15lh, был классифицирован американскими учеными как самая яркая из когда-либо обнаруженных сверхновых. Однако белфастский профессор Стивен Смартт говорит, что, изучив этот источник света, он и его коллеги решили, что он не похож на сверхновую звезду. «У нас в университете Квинс большая команда. Мы специализируемся на движущихся объектах — например, астроидах, которые могут угрожать Земле, или объектах, излучающих переменный свет, которые могут быть сверхновыми звездами или вот такой черной дырой», — говорит он.

Поглощение звезды глазами художника

Интерпретация художника: сверхмассивная черная дыра поглотила и разорвала на куски приблизившуюся к ней звезду.

   По его словам, чрезвычайно яркий свет ASASSN-15lh в течение месяцев вызывал у него и его коллег множество вопросов, но, изучив данные телескопов, они наконец нашли объяснение происходящему в далекой-далекой галактике. Ученые полагают, что похожая на Солнце звезда слишком близко приблизилась к черной дыре и в результате была разрушена под действием приливных сил. Звезда была «разорвана на лапшеобразные куски, а часть ее массы преобразовалась в излученный свет», говорится в заявлении астрономов. «В результате это явление выглядело как взрыв чрезвычайно яркой сверхновой звезды, хотя сама по себе эта звезда не могла стать сверхновой из-за недостатка массы».

Поглощение звезды глазами художника

    Профессор Смартт напоминает, что плотность черной дыры больше, чем у любой другой известной людям материи. «Если вы возьмете всех живущих на Земле людей и сдавите их вместе настолько, что они все поместятся на одну чайную ложку, то плотность этой массы будет примерно соответствовать плотности нейтронной звезды, а плотность черной дыры будет, пожалуй, еще в 10 раз больше», — объясняет он. Наука пока не знает, как и почему формируются черные дыры. Скорее всего, они образовались в самом начале развития Вселенной, когда только начинали формироваться галактики. Результаты международного исследования ASASSN-15lh были опубликованы в журнале Nature Astronomy лидером группы ученых, доктором Гиоргосом Лелудасом из института Вейцмана в Израиле. Однако он добавляет, что, «даже изучив все имеющиеся данные, мы не можем быть на 100% уверены, что произошедшее с ASASSN-15lh было именно разрушением небесного тела под действием приливообразующих сил, хотя это остается наиболее вероятным объяснением».

Конец одиссеи «Розетты»

"Розетта"

«Розетта» в 2014 году спустила аппарат на поверхность кометы для сборы проб почвы

     Когда на Земле был конец сентября, закончилась миссия космического зонда «Розетта», которая длилась 12 лет. «Розетта» управляемо врезалась в поверхность кометы Чурюмова-Герасименко, за которой следовала два года и шесть млрд километров. Зонд «Розетта» Европейского космического агентства стал первым космическим аппаратом, который смог выйти на орбиту кометы. Аппарат собирал редкие данные о небесном теле, которые в ближайшие годы будут исследовать ученые. Эти данные помогут понять, как формируются кометы, а также как они выпускают пыль и газ по мере нагревания Солнцем. Одним из сложнейших решений для данной программы исследований стала синхронная радиотелеметрия для постоянно удаляющегося от Земли объекта

Китайский супер-суперкомпьютер

20 июня в Национальном суперкомпьютерном центре в китайском городе Уси был представлен суперкомпьютер Шеньвэй Тайху (английский вариант названия — Sunway TaihuLight) мощностью 93 квадриллиона вычислений в секунду. Он занял первое место в мировом списке суперкомпьютеров, обойдя в 2,5 раза по мощности прежнего лидера списка, китайский же Тяньхе-2.

При этом если в предыдущих китайских суперкомпьютерах использовались американские процессоры «Интел», то в Шеньвэй Тайху работают китайские процессоры.

суперкомпьютер ASCI White

16 лет назад самым мощным суперкомпьютером в мире был вот этот, американский ASCI White.

Его производительность была на три порядка меньше, чем у нового китайского лидера рейтинга.

DX info

JD1_oga- Harry, JG7PSJ, снова будет активен под позывным JD1BMH с о-ва Chichijima (AS-031), Огасавара, с 24 декабря по 2 января. Он будет работать CW, SSB и RTTY на 160-10 м. QSL via JD1BMH (через бюро) или JG7PSJ (direct)

Картинки по запросу chichijima island

DX info

JW — Morten, LA4JSA, будет активен под позывным JW4JSA с о-ва Медвежий (EU-027), Шпицберген, до 1 июня 2018 г. QSL via home call.

Картинки по запросу Медвежий island

WPX info

OH — В этом году Santa Radio (OF9X) будет активна под позывным OJ9X как с целью продвижения духа Рождества на любительских диапазонах, так и в честь 100-летия независимости Финляндии. Это мероприятие будет проходить в течение 6-31 декабря, и в нем примут участие клубы, расположенные во всей Финляндии, работая на всех диапазонах и всеми видами излучения. Те, кто войдет в первые 100 по максимальному числу сработанных диапазонов /видов излучения, и топ-10 с каждого континента получат диплом «Finland 100 Years», подписанный лично Санта-Клаусом вместе с премьер-министром Финляндии Юхой Сипила, под патронажем которого проходит это мероприятие.

Картинки по запросу Santa Radio (OF9X)

DX info

VU — Операторы радиоклуба Manipal Institute of Technology (VU2MHC) будут активны под позывным AT6MIT с 9 декабря по 7 января по случаю бриллиантового юбилея своего института. QSL via VU3BUN

Результат пошуку зображень за запитом "Manipal Institute of Technology фото"

DX info

TK — Georg, NZ1C, 16-24 декабря будет активен в «отпускном стиле» как TK/NZ1C с Корсики. Он будет работать CW и FT8, а также немного SSB, RTTY и PSK на 40-10 м. QSL via DD5ZZ

Результат пошуку зображень за запитом "Корсика фото"

Знімок нічного Києва з космосу.

Американський астронавт Рендольф Брезник, який зараз перебуває на борту МКС як бортінженер NASA, опублікував знімок нічного Києва з космосу.

200

Запрацював сайт ВП ГО ЛРУ в Черкаській області

Згідно з рішенням загальних зборів від 9 вересня 2017 року, був сформований інтернет — сайт, що відображає роботу окремого підрозділу ГО ЛРУ в Черкаській області та новини штаб квартири.

 Відвідати сайт можна перейти за цим посиланням  http://uarl_ck.aphantom.org

« Предыдущие